诚然，芯片产业经过几十年的技术革新，已经逐渐接近其物理极限，很多人开始将其视为“夕阳产业”。然而，当我们面临来自美国的供应中断时，我们并没有放弃，反而加大了对传统芯片制造设备的研发力度，同时也在新一代的芯片技术方面发力，比如光子芯片、芯片堆叠技术、量子芯片等。许多人都以为美国忙于压制中国企业，却忽视了技术创新的重要性，因此认为中国未来有可能在新的技术道路上“超车”。然而，现实并不像我们想象的那么简单，甚至可以说是残酷的！
最近，麻省理工学院的研究团队发表了一项令人惊讶的新型芯片技术，这种技术利用二硫化钼（MoS2）制造出原子级的超薄晶体管。这种新型芯片技术与光子、量子芯片并不在同一竞争赛道上。
传统芯片的晶体管主要使用硅材料，并且通常采用水平排列。然而，随着晶体管密度的不断提高，硅基芯片很容易产生隧道效应，这种效应会导致芯片发热、降频，甚至影响终端设备的电池续航能力。虽然3D封装和堆叠技术可以显著提高芯片的性能，但仍然需要解决许多技术难题，例如信号传输、电源分配以及不同芯片之间的连接等。
麻省理工学院研发的超薄晶体管的厚度仅有三个原子，大约0.3纳米，这使得在同样面积的基板上可以集成更多的晶体管。使用这种材料制造的芯片，功耗和体积都可以降低到原来的千分之一，性能也会有显著的提升！
这个研发过程并不是一帆风顺的，例如，如何解决由于不同材料所引发的高温问题。然而，通过不懈的尝试和努力，麻省理工的研究团队最终找到了解决方案，并且显著提高了工作效率。更让人兴奋的是，研究人员表示，这种技术仍在不断改进和优化，未来有可能应用于生产堆叠的晶体管层。
众多媒体和业界专家都认为，这项新技术对美国芯片发展具有革命性的影响。然而，对于我们中国来说，这既是一个挑战，也是一个“警醒”。其中一个令人难以接受的事实是，找到解决不同材料高温问题的方法的科学家竟然是一位华人。因此，一些外媒甚至嘲讽说：中国已经在“芯片战”中失败了！
也难怪华为创始人任正非会发出这样的感慨：“真正在芯片上卡住我们的，并不是美国人，而是我们自己的同胞。”
尽管外界的嘲讽有些夸大其词，但我们确实需要正视并解决自己的短板。为什么优秀的华人科学家会在美国而不是在中国呢？我们的专家们都去哪里了？
近年来，中国在芯片研发和光刻机核心系统等领域已取得了显著的成果。然而，就在今年2月，中国半导体研究所的研究员和中国科学院的副院长联合撰文强调，我国在半导体基础研究方面仍然存在严重的不足，半导体物理人才短缺，半导体基础研究投入不足。
有人可能会认为，只要有足够的资金去购买设备和材料，有了中高端的芯片制造工艺，我们就能发展芯片产业。然而，FinFET晶体管技术、GAA晶体管技术，以及硅片等基础芯片技术和材料，其大部分核心专利都被海外企业所掌握。所以，我们必须意识到，“基础不牢，地动山摇”。
对于我们来说，要真正解决这个问题，就必须重视人才的培养和留任，通过政策手段打破扭曲需求的权力结构，取消对无重大应用的资助方向，构建多元化的基础研究投入机制，稳定并扩大半导体基础研究队伍。我们要在政策制定、投资引导、人才培养等方面进行深思熟虑和精心布局，以确保我国在半导体行业的可持续发展。
中国有着全球最大的市场，中国人也天生聪明，有创新精神。因此，只要我们能够克服当前的困难，有效利用我们的优势，我们就有可能在芯片技术的发展中实现“变道超车”，未来可期。觉得在理的话，请动动小手点个“赞”以及“在看”吧！感激不尽！
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